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WPH4003-1E
WPH4003-1E -
MOSFET N-CH 1700V 2.5A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
制造商产品编号:
WPH4003-1E
仓库库存编号:
WPH4003-1EOS-ND
描述:
MOSFET N-CH 1700V 2.5A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 3W(Ta),55W(Tc) TO-3PF
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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WPH4003-1E产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-3P-3 整包
制造商
On Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-3PF
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
48nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
10.5 欧姆 @ 1.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.5A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
850pF @ 30V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
3W(Ta),55W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1700V
关键词
产品资料
数据列表
WPH4003
标准包装
30
其它名称
WPH4003-1EOS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW3N150
仓库库存编号:
497-10005-5-ND
别名:497-10005-5
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 140W(Tc) H2PAK
型号:
STH3N150-2
仓库库存编号:
497-13876-1-ND
别名:497-13876-1
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 2.5W(Ta),140W(Tc) TO-3P(L)
型号:
NDTL03N150CG
仓库库存编号:
NDTL03N150CGOS-ND
别名:NDTL03N150CGOS
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1700V 2.6A
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW3N170
仓库库存编号:
497-16308-5-ND
别名:497-16308-5
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2.
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 160mW TO-247-3
型号:
STW3N170
仓库库存编号:
497-16332-5-ND
别名:497-16332-5
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安装类型 通孔
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漏源电压(Vdss) 1700V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1700V
ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1700V
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