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产品规格

封装/外壳	6-SMD，扁平引线
制造商	Panasonic Electronic Components
安装类型	表面贴装
工作温度	125°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	WSSMini6-F1
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	420 毫欧 @ 500mA，4V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	80pF @ 10V
FET 功能	肖特基二极管（隔离式）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 1mA
功率耗散（最大值）	540mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	20V
关键词

产品资料

数据列表	FL6L52030L
制造商产品页	FL6L5203 View All Specifications
标准包装	10,000

封装/外壳 6-SMD，扁平引线  Panasonic Electronic Components 封装/外壳 6-SMD，扁平引线  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-SMD，扁平引线  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-SMD，扁平引线   制造商 Panasonic Electronic Components  Panasonic Electronic Components 制造商 Panasonic Electronic Components  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Panasonic Electronic Components  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Panasonic Electronic Components   安装类型 表面贴装  Panasonic Electronic Components 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 125°C（TJ）  Panasonic Electronic Components 工作温度 125°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 125°C（TJ）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 125°C（TJ）   系列 -  Panasonic Electronic Components 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Panasonic Electronic Components 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Panasonic Electronic Components 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 WSSMini6-F1  Panasonic Electronic Components 供应商器件封装 WSSMini6-F1  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 WSSMini6-F1  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 WSSMini6-F1   技术 MOSFET（金属氧化物）  Panasonic Electronic Components 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±12V  Panasonic Electronic Components Vgs（最大值） ±12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±12V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±12V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Panasonic Electronic Components 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 420 毫欧 @ 500mA，4V  Panasonic Electronic Components 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 420 毫欧 @ 500mA，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 420 毫欧 @ 500mA，4V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 420 毫欧 @ 500mA，4V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4V  Panasonic Electronic Components 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4V   FET 类型 P 沟道  Panasonic Electronic Components FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）  Panasonic Electronic Components 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 80pF @ 10V  Panasonic Electronic Components 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 80pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 80pF @ 10V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 80pF @ 10V   FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  Panasonic Electronic Components FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管（隔离式）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 肖特基二极管（隔离式）   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA  Panasonic Electronic Components 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1mA   功率耗散（最大值） 540mW（Ta）  Panasonic Electronic Components 功率耗散（最大值） 540mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 540mW（Ta）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 540mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 20V  Panasonic Electronic Components 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 20V