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产品规格

封装/外壳	6-SMD，扁平引线
制造商	Panasonic Electronic Components
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	WS迷你型6-F1-B
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	34 毫欧 @ 1A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
FET 类型	P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	4A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1400pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
漏源电压（Vdss）	12V
关键词

产品资料

数据列表	MTM761110LBF
制造商产品页	MTM76111 View All Specifications
标准包装	1
其它名称	MTM761110LBFCT

封装/外壳 6-SMD，扁平引线  Panasonic Electronic Components 封装/外壳 6-SMD，扁平引线  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-SMD，扁平引线  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 6-SMD，扁平引线   制造商 Panasonic Electronic Components  Panasonic Electronic Components 制造商 Panasonic Electronic Components  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Panasonic Electronic Components  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Panasonic Electronic Components   安装类型 表面贴装  Panasonic Electronic Components 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Panasonic Electronic Components 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Panasonic Electronic Components 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Panasonic Electronic Components 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Panasonic Electronic Components 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 WS迷你型6-F1-B  Panasonic Electronic Components 供应商器件封装 WS迷你型6-F1-B  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 WS迷你型6-F1-B  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 WS迷你型6-F1-B   技术 MOSFET（金属氧化物）  Panasonic Electronic Components 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±8V  Panasonic Electronic Components Vgs（最大值） ±8V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±8V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Panasonic Electronic Components 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 34 毫欧 @ 1A，4.5V  Panasonic Electronic Components 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 34 毫欧 @ 1A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 34 毫欧 @ 1A，4.5V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 34 毫欧 @ 1A，4.5V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  Panasonic Electronic Components 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V   FET 类型 P 沟道  Panasonic Electronic Components FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）  Panasonic Electronic Components 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A（Ta）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 10V  Panasonic Electronic Components 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 10V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1400pF @ 10V   FET 功能 -  Panasonic Electronic Components FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Panasonic Electronic Components 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA   功率耗散（最大值） 700mW（Ta）  Panasonic Electronic Components 功率耗散（最大值） 700mW（Ta）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 700mW（Ta）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 700mW（Ta）   漏源电压（Vdss） 12V  Panasonic Electronic Components 漏源电压（Vdss） 12V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 12V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 12V