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产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Panasonic Electronic Components
安装类型	表面贴装
工作温度	125°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	SSMINI6-F1
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	12 欧姆 @ 10mA，4V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 1μA
漏源电压（Vdss）	50V，30V
功率 - 最大值	125mW
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	UP0497900LCT

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Panasonic Electronic Components 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Panasonic Electronic Components  Panasonic Electronic Components 制造商 Panasonic Electronic Components  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Panasonic Electronic Components  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Panasonic Electronic Components   安装类型 表面贴装  Panasonic Electronic Components 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 125°C（TJ）  Panasonic Electronic Components 工作温度 125°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 125°C（TJ）  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 125°C（TJ）   系列 -  Panasonic Electronic Components 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Panasonic Electronic Components 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Panasonic Electronic Components 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 SSMINI6-F1  Panasonic Electronic Components 供应商器件封装 SSMINI6-F1  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SSMINI6-F1  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SSMINI6-F1   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Panasonic Electronic Components 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 12 欧姆 @ 10mA，4V  Panasonic Electronic Components 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 12 欧姆 @ 10mA，4V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 12 欧姆 @ 10mA，4V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 12 欧姆 @ 10mA，4V   FET 类型 N 和 P 沟道  Panasonic Electronic Components FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA  Panasonic Electronic Components 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Panasonic Electronic Components 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 逻辑电平门  Panasonic Electronic Components FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1μA  Panasonic Electronic Components 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1μA  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 1μA   漏源电压（Vdss） 50V，30V  Panasonic Electronic Components 漏源电压（Vdss） 50V，30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 50V，30V  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 50V，30V   功率 - 最大值 125mW  Panasonic Electronic Components 功率 - 最大值 125mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 125mW  Panasonic Electronic Components 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 125mW