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产品规格

封装/外壳	模块
制造商	Powerex Inc.
安装类型	底座安装
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	模块
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	500nC @ 20V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	25 毫欧 @ 100A，20V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	100A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	10200pF @ 800V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 10mA
漏源电压（Vdss）	1200V（1.2kV）
功率 - 最大值	1080W
关键词

产品资料

数据列表	Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief QJD1210010 Preliminary Datasheet
标准包装	1

封装/外壳 模块  Powerex Inc. 封装/外壳 模块  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 模块  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 模块   制造商 Powerex Inc.  Powerex Inc. 制造商 Powerex Inc.  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Powerex Inc.  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Powerex Inc.   安装类型 底座安装  Powerex Inc. 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Powerex Inc. 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Powerex Inc. 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 散装   Powerex Inc. 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装   Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  Powerex Inc. 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 模块  Powerex Inc. 供应商器件封装 模块  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 模块  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 模块   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 500nC @ 20V  Powerex Inc. 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 500nC @ 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 500nC @ 20V  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 500nC @ 20V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 100A，20V  Powerex Inc. 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 100A，20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 100A，20V  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 100A，20V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Powerex Inc. FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A  Powerex Inc. 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10200pF @ 800V  Powerex Inc. 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10200pF @ 800V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10200pF @ 800V  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 10200pF @ 800V   FET 功能 标准  Powerex Inc. FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA  Powerex Inc. 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 10mA   漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV）  Powerex Inc. 漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV）  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 1200V（1.2kV）   功率 - 最大值 1080W  Powerex Inc. 功率 - 最大值 1080W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1080W  Powerex Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1080W