QJD1210010,Powerex Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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QJD1210010 - 

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

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Powerex Inc. QJD1210010
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
QJD1210010
仓库库存编号：
QJD1210010-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 1080W Chassis Mount Module
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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QJD1210010产品属性


产品规格
  封装/外壳  模块  
  制造商  Powerex Inc.  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模块  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  500nC @ 20V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  25 毫欧 @ 100A，20V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  100A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  10200pF @ 800V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 10mA  
  漏源电压（Vdss）  1200V（1.2kV）  
  功率 - 最大值  1080W  
关键词         

产品资料
数据列表 Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief
QJD1210010 Preliminary Datasheet
标准包装 1

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