QBED8120,QT Brightek (QTB),光电元件,红外,UV,可见光发射器
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QBED8120
QBED8120 -
EMITTER IR 940NM 50MA RADIAL
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非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
QT Brightek (QTB)
QT Brightek (QTB)
制造商产品编号:
QBED8120
仓库库存编号:
1516-1000-ND
描述:
EMITTER IR 940NM 50MA RADIAL
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 50mA 30mW/sr @ 50mA 20° Radial
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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QBED8120产品属性
产品规格
封装/外壳
径向
制造商
QT Brightek (QTB)
安装类型
通孔
工作温度
-25°C ~ 85°C(TA)
类型
红外(IR)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
电压 - 正向(Vf)(典型值)
1.3V
视角
20°
朝向
顶视图
波长
940nm
电流 - DC 正向(If)
50mA
不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值)
30mW/sr @ 50mA
关键词
产品资料
数据列表
QBED8120
标准包装
500
其它名称
1516-1000
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Semiconductor Opto Division
EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL
详细描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.35V 100mA 80mW/sr @ 100mA 20° Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
型号:
TSAL6100
仓库库存编号:
751-1203-ND
别名:751-1203
无铅
搜索
Everlight Electronics Co Ltd
EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL
详细描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 21mW/sr @ 20mA 20° Radial
型号:
IR1503
仓库库存编号:
1080-1071-ND
别名:1080-1071
3415030004
无铅
搜索
Everlight Electronics Co Ltd
EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL
详细描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 7.8mW/sr @ 20mA 20° Radial
型号:
IR333-A
仓库库存编号:
1080-1080-ND
别名:1080-1080
3403330004
IR333A
无铅
搜索
SunLED
EMITTER IR 940NM 50MA RADIAL
详细描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 25mW/sr @ 50mA 20° Radial
型号:
XTNI12W
仓库库存编号:
1497-1062-ND
别名:1497-1062
无铅
搜索
QT Brightek (QTB)
EMITTER IR 940NM 50MA RADIAL
详细描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.3V 50mA 10mW/sr @ 50mA 60° Radial
型号:
QBED8160
仓库库存编号:
1516-1001-ND
别名:1516-1001
无铅
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封装/外壳 径向
QT Brightek (QTB) 封装/外壳 径向
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制造商 QT Brightek (QTB)
QT Brightek (QTB) 制造商 QT Brightek (QTB)
红外,UV,可见光发射器 制造商 QT Brightek (QTB)
QT Brightek (QTB) 红外,UV,可见光发射器 制造商 QT Brightek (QTB)
安装类型 通孔
QT Brightek (QTB) 安装类型 通孔
红外,UV,可见光发射器 安装类型 通孔
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工作温度 -25°C ~ 85°C(TA)
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红外,UV,可见光发射器 工作温度 -25°C ~ 85°C(TA)
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QT Brightek (QTB) 零件状态 在售
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红外,UV,可见光发射器 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值) 30mW/sr @ 50mA
QT Brightek (QTB) 红外,UV,可见光发射器 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值) 30mW/sr @ 50mA
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