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产品规格

封装/外壳	SC-100，SOT-669
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	LFPAK
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	26nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	8.2 毫欧 @ 15A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	30A（Ta）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1650pF @ 10V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	15W（Tc）
漏源电压（Vdss）	30V
关键词

产品资料

数据列表	HAT2116H
RoHS指令信息	RoHS Compliance
标准包装	2,500

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