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NP100P04PDG-E1-AY - 

MOSFET P-CH 40V 100A TO-263

  • 非库存货
Renesas Electronics America NP100P04PDG-E1-AY
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
NP100P04PDG-E1-AY
仓库库存编号:
NP100P04PDG-E1-AY-ND
描述:
MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 100A(Tc) 1.8W(Ta),200W(Tc) TO-263
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NP100P04PDG-E1-AY产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Renesas Electronics America  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-263  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  320nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  3.5 毫欧 @ 50A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  100A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  15100pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  1.8W(Ta),200W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  40V  
关键词         

产品资料
数据列表 NP100P04PDG
RoHS指令信息 RoHS Compliance
标准包装 800

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