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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	表面贴装
工作温度	175°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-263-3
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	297nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	1.4 毫欧 @ 55A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	110A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	15750pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），348W（Tc）
漏源电压（Vdss）	40V
关键词

产品资料

数据列表	NP110N04PUK
RoHS指令信息	RoHS Compliance
标准包装	1

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Renesas Electronics America 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 175°C（TJ）  Renesas Electronics America 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Renesas Electronics America 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Renesas Electronics America 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-263-3  Renesas Electronics America 供应商器件封装 TO-263-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263-3  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263-3   技术 MOSFET（金属氧化物）  Renesas Electronics America 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Renesas Electronics America Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 297nC @ 10V  Renesas Electronics America 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 297nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 297nC @ 10V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 297nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 55A，10V  Renesas Electronics America 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 55A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 55A，10V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.4 毫欧 @ 55A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Renesas Electronics America 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 N 沟道  Renesas Electronics America FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）  Renesas Electronics America 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15750pF @ 25V  Renesas Electronics America 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15750pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15750pF @ 25V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 15750pF @ 25V   FET 功能 -  Renesas Electronics America FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Renesas Electronics America 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），348W（Tc）  Renesas Electronics America 功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），348W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），348W（Tc）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），348W（Tc）   漏源电压（Vdss） 40V  Renesas Electronics America 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 40V