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产品规格

封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3P
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	180ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	290W
Current - Collector (Ic) (Max)	60A
测试条件	600V，30A，5 欧姆，15V
开关能量	2.3mJ（开），1.7mJ（关）
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.6V @ 15V，30A
25°C 时 Td（开/关）值	46ns/125ns
栅极电荷	105nC
关键词

产品资料

数据列表	RJH1CV6DPK
标准包装	1
其它名称	RJH1CV6DPK00T0

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Renesas Electronics America 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 通孔  Renesas Electronics America 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Renesas Electronics America 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Renesas Electronics America 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3P  Renesas Electronics America 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   输入类型 标准  Renesas Electronics America 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 180ns  Renesas Electronics America 反向恢复时间（trr） 180ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 180ns  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 180ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Renesas Electronics America Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 290W  Renesas Electronics America Power - Max 290W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 290W  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 290W   Current - Collector (Ic) (Max) 60A  Renesas Electronics America Current - Collector (Ic) (Max) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A   测试条件 600V，30A，5 欧姆，15V  Renesas Electronics America 测试条件 600V，30A，5 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，30A，5 欧姆，15V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，30A，5 欧姆，15V   开关能量 2.3mJ（开），1.7mJ（关）  Renesas Electronics America 开关能量 2.3mJ（开），1.7mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.3mJ（开），1.7mJ（关）  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.3mJ（开），1.7mJ（关）   IGBT 类型 沟道  Renesas Electronics America IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，30A  Renesas Electronics America 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，30A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，30A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，30A   25°C 时 Td（开/关）值 46ns/125ns  Renesas Electronics America 25°C 时 Td（开/关）值 46ns/125ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 46ns/125ns  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 46ns/125ns   栅极电荷 105nC  Renesas Electronics America 栅极电荷 105nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 105nC  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 105nC