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RJH60D1DPE-00#J3
RJH60D1DPE-00#J3 -
IGBT 600V 20A 52W LDPAK
增值型包装数量有限,可提供替代形式的包装。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
制造商产品编号:
RJH60D1DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJH60D1DPE-00#J3CT-ND
描述:
IGBT 600V 20A 52W LDPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 600V 20A 52W Surface Mount 4-LDPAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RJH60D1DPE-00#J3产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-83
制造商
Renesas Electronics America
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
已不再提供
供应商器件封装
4-LDPAK
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
100ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
52W
Current - Collector (Ic) (Max)
20A
测试条件
300V,10A,5 欧姆,15V
开关能量
100μJ(开),130μJ(关)
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.5V @ 15V,10A
25°C 时 Td(开/关)值
30ns/42ns
栅极电荷
13nC
关键词
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RJH60D1DPE
标准包装
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 SC-83
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制造商 Renesas Electronics America
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America
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安装类型 表面贴装
Renesas Electronics America 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 已不再提供
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 已不再提供
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供应商器件封装 4-LDPAK
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 4-LDPAK
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输入类型 标准
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 100ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 52W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 52W
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Current - Collector (Ic) (Max) 20A
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测试条件 300V,10A,5 欧姆,15V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,10A,5 欧姆,15V
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开关能量 100μJ(开),130μJ(关)
Renesas Electronics America 开关能量 100μJ(开),130μJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 100μJ(开),130μJ(关)
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IGBT 类型 沟道
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.5V @ 15V,10A
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25°C 时 Td(开/关)值 30ns/42ns
Renesas Electronics America 25°C 时 Td(开/关)值 30ns/42ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 30ns/42ns
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栅极电荷 13nC
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