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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	25ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	300W
Current - Collector (Ic) (Max)	90A
测试条件	300V，50A，5 欧姆，15V
开关能量	700μJ（开），1.4mJ（关）
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.2V @ 15V，50A
25°C 时 Td（开/关）值	60ns/180ns
栅极电荷	125nC
关键词

产品资料

数据列表	RJH60D7BDPQ-E0
标准包装	1
其它名称	RJH60D7BDPQE0T2

封装/外壳 TO-247-3  Renesas Electronics America 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 通孔  Renesas Electronics America 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Renesas Electronics America 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Renesas Electronics America 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247  Renesas Electronics America 供应商器件封装 TO-247  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247   输入类型 标准  Renesas Electronics America 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 25ns  Renesas Electronics America 反向恢复时间（trr） 25ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 25ns  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 25ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Renesas Electronics America Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 300W  Renesas Electronics America Power - Max 300W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 300W   Current - Collector (Ic) (Max) 90A  Renesas Electronics America Current - Collector (Ic) (Max) 90A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 90A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 90A   测试条件 300V，50A，5 欧姆，15V  Renesas Electronics America 测试条件 300V，50A，5 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，50A，5 欧姆，15V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，50A，5 欧姆，15V   开关能量 700μJ（开），1.4mJ（关）  Renesas Electronics America 开关能量 700μJ（开），1.4mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 700μJ（开），1.4mJ（关）  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 700μJ（开），1.4mJ（关）   IGBT 类型 沟道  Renesas Electronics America IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，50A  Renesas Electronics America 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，50A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，50A   25°C 时 Td（开/关）值 60ns/180ns  Renesas Electronics America 25°C 时 Td（开/关）值 60ns/180ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 60ns/180ns  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 60ns/180ns   栅极电荷 125nC  Renesas Electronics America 栅极电荷 125nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 125nC  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 125nC