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• 增值型包装数量有限，可提供替代形式的包装。

产品规格

封装/外壳	SC-83
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	4-LDPAK
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	100ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	52W
Current - Collector (Ic) (Max)	16A
测试条件	300V，8A，5 欧姆，15V
开关能量	80μJ（开），90μJ（关）
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.4V @ 15V，8A
25°C 时 Td（开/关）值	30ns/55ns
栅极电荷	20.5nC
关键词

产品资料

数据列表	RJH60M1DPE
标准包装	1
其它名称	RJH60M1DPE-00#J3CT

封装/外壳 SC-83  Renesas Electronics America 封装/外壳 SC-83  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-83  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 SC-83   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Renesas Electronics America 包装 剪切带（CT）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）   Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Renesas Electronics America 零件状态  已不再提供  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 4-LDPAK  Renesas Electronics America 供应商器件封装 4-LDPAK  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 4-LDPAK  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 4-LDPAK   输入类型 标准  Renesas Electronics America 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 100ns  Renesas Electronics America 反向恢复时间（trr） 100ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 100ns  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 100ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Renesas Electronics America Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 52W  Renesas Electronics America Power - Max 52W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 52W  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 52W   Current - Collector (Ic) (Max) 16A  Renesas Electronics America Current - Collector (Ic) (Max) 16A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 16A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 16A   测试条件 300V，8A，5 欧姆，15V  Renesas Electronics America 测试条件 300V，8A，5 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，8A，5 欧姆，15V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，8A，5 欧姆，15V   开关能量 80μJ（开），90μJ（关）  Renesas Electronics America 开关能量 80μJ（开），90μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 80μJ（开），90μJ（关）  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 80μJ（开），90μJ（关）   IGBT 类型 沟道  Renesas Electronics America IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，8A  Renesas Electronics America 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，8A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，8A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.4V @ 15V，8A   25°C 时 Td（开/关）值 30ns/55ns  Renesas Electronics America 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/55ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/55ns  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 30ns/55ns   栅极电荷 20.5nC  Renesas Electronics America 栅极电荷 20.5nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 20.5nC  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 20.5nC