RJH65T47DPQ-A0#T0,Renesas Electronics America,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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RJH65T47DPQ-A0#T0
RJH65T47DPQ-A0#T0 -
IGBT TRENCH 650V 90A TO247A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
制造商产品编号:
RJH65T47DPQ-A0#T0
仓库库存编号:
RJH65T47DPQ-A0#T0-ND
描述:
IGBT TRENCH 650V 90A TO247A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
IGBT Trench 650V 90A 375W Through Hole TO-247A
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RJH65T47DPQ-A0#T0产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Renesas Electronics America
安装类型
通孔
工作温度
175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247A
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
100ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
375W
Current - Collector (Ic) (Max)
90A
测试条件
400V,45A,10 欧姆,15V
开关能量
520μJ(开),560μJ(关)
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.4V @ 15V,45A
25°C 时 Td(开/关)值
45ns/190ns
栅极电荷
127nC
关键词
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数据列表
RJH65T47DPQ-A0
标准包装
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
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制造商 Renesas Electronics America
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America
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安装类型 通孔
Renesas Electronics America 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 175°C(TJ)
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-247A
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输入类型 标准
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Current - Collector (Ic) (Max) 90A
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测试条件 400V,45A,10 欧姆,15V
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IGBT 类型 沟道
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栅极电荷 127nC
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