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RJK0655DPB-00#J5 - 

MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

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Renesas Electronics America RJK0655DPB-00#J5
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
RJK0655DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0655DPB-00#J5TR-ND
描述：
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
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RJK0655DPB-00#J5产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-100，SOT-669  
  制造商  Renesas Electronics America  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  LFPAK  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  35nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  6.7 毫欧 @ 17.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  35A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2550pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  -  
  功率耗散（最大值）  60W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 RJK0655DPB
标准包装 2,500
其它名称 RJK0655DPB-00#J5-ND
RJK0655DPB-00#J5TR

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MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

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Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R - Tape and Reel (Alt: RJK0655DPB-00#J5)

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 35A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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Renesas Electronics America - RJK0655DPB-00#J5 - MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK		Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 60W（Tc） LFPAK

型号：RJK0655DPB-00#J5
仓库库存编号：RJK0655DPB-00#J5TR-ND
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