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RJP4009ANS-01#Q6
RJP4009ANS-01#Q6 -
IGBT 400V
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
制造商产品编号:
RJP4009ANS-01#Q6
仓库库存编号:
RJP4009ANS-01#Q6-ND
描述:
IGBT 400V
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 400V 1.8W Surface Mount
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RJP4009ANS-01#Q6产品属性
产品规格
封装/外壳
8-VDFN
制造商
Renesas Electronics America
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400V
Power - Max
1.8W
测试条件
-
开关能量
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
9V @ 2.5V,150A
25°C 时 Td(开/关)值
-
关键词
产品资料
数据列表
RJP4009ANS
标准包装
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封装/外壳 8-VDFN
Renesas Electronics America 封装/外壳 8-VDFN
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 8-VDFN
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 8-VDFN
制造商 Renesas Electronics America
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America
安装类型 表面贴装
Renesas Electronics America 安装类型 表面贴装
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
Renesas Electronics America 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
Renesas Electronics America 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
零件状态 在售
Renesas Electronics America 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
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输入类型 标准
Renesas Electronics America 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Renesas Electronics America Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Power - Max 1.8W
Renesas Electronics America Power - Max 1.8W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 1.8W
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 1.8W
测试条件 -
Renesas Electronics America 测试条件 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 -
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 -
开关能量 -
Renesas Electronics America 开关能量 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
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Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Renesas Electronics America Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
IGBT 类型 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 9V @ 2.5V,150A
Renesas Electronics America 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 9V @ 2.5V,150A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 9V @ 2.5V,150A
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25°C 时 Td(开/关)值 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -
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