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产品规格

封装/外壳	8-TSSOJ（0.094"，2.40mm 宽）
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	8-TSOJ
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Power - Max	1.6W
测试条件	-
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	150A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	9V @ 3V，150A
25°C 时 Td（开/关）值	-
关键词

产品资料

数据列表	RJP4010AGE-00#P5
RoHS指令信息	RoHS Compliance
标准包装	3,000

封装/外壳 8-TSSOJ（0.094"，2.40mm 宽）  Renesas Electronics America 封装/外壳 8-TSSOJ（0.094"，2.40mm 宽）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 8-TSSOJ（0.094"，2.40mm 宽）  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 8-TSSOJ（0.094"，2.40mm 宽）   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Renesas Electronics America 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Renesas Electronics America 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 8-TSOJ  Renesas Electronics America 供应商器件封装 8-TSOJ  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-TSOJ  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 8-TSOJ   输入类型 标准  Renesas Electronics America 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  Renesas Electronics America Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V   Power - Max 1.6W  Renesas Electronics America Power - Max 1.6W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 1.6W  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 1.6W   测试条件 -  Renesas Electronics America 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  Renesas Electronics America 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  Renesas Electronics America Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A   IGBT 类型 -  Renesas Electronics America IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 9V @ 3V，150A  Renesas Electronics America 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 9V @ 3V，150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 9V @ 3V，150A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 9V @ 3V，150A   25°C 时 Td（开/关）值 -  Renesas Electronics America 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -