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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	通孔
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220FL
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	500V
Power - Max	45W
测试条件	300V，300A，30 欧姆，12V
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	300A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	10V @ 12V，300A
25°C 时 Td（开/关）值	100ns/200ns
关键词

产品资料

数据列表	RJP5001APP-M0
RoHS指令信息	RoHS Compliance
标准包装	1

封装/外壳 TO-220-3 整包  Renesas Electronics America 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 通孔  Renesas Electronics America 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Renesas Electronics America 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Renesas Electronics America 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220FL  Renesas Electronics America 供应商器件封装 TO-220FL  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FL  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FL   输入类型 标准  Renesas Electronics America 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V  Renesas Electronics America Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V   Power - Max 45W  Renesas Electronics America Power - Max 45W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 45W  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 45W   测试条件 300V，300A，30 欧姆，12V  Renesas Electronics America 测试条件 300V，300A，30 欧姆，12V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，300A，30 欧姆，12V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，300A，30 欧姆，12V   开关能量 -  Renesas Electronics America 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 300A  Renesas Electronics America Current - Collector Pulsed (Icm) 300A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 300A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 300A   IGBT 类型 -  Renesas Electronics America IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 10V @ 12V，300A  Renesas Electronics America 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 10V @ 12V，300A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 10V @ 12V，300A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 10V @ 12V，300A   25°C 时 Td（开/关）值 100ns/200ns  Renesas Electronics America 25°C 时 Td（开/关）值 100ns/200ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 100ns/200ns  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 100ns/200ns