关于我们 | 联系我们

库存查询

• 如需报价、提交请求，请单击 此处。
• 非库存货

产品规格

封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-3P
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	178.5W
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
测试条件	-
开关能量	-
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	3.5V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值	-
关键词

产品资料

数据列表	RJP6085DPK
RoHS指令信息	RoHS Compliance
标准包装	1
其它名称	RJP6085DPK00T0

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Renesas Electronics America 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 通孔  Renesas Electronics America 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Renesas Electronics America 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Renesas Electronics America 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3P  Renesas Electronics America 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   输入类型 标准  Renesas Electronics America 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Renesas Electronics America Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 178.5W  Renesas Electronics America Power - Max 178.5W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 178.5W  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 178.5W   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Renesas Electronics America Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   测试条件 -  Renesas Electronics America 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  Renesas Electronics America 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 -  Renesas Electronics America IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.5V @ 15V，40A  Renesas Electronics America 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.5V @ 15V，40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.5V @ 15V，40A  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 3.5V @ 15V，40A   25°C 时 Td（开/关）值 -  Renesas Electronics America 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -