RJP60D0DPP-M0#T2,Renesas Electronics America,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
RJP60D0DPP-M0#T2
RJP60D0DPP-M0#T2 -
IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
如需报价、提交请求,请单击 此处。
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
制造商产品编号:
RJP60D0DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJP60D0DPP-M0#T2-ND
描述:
IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 45A 35W Through Hole TO-220FL
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
RJP60D0DPP-M0#T2产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-220-3 整包
制造商
Renesas Electronics America
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-220FL
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
35W
Current - Collector (Ic) (Max)
45A
测试条件
300V,22A,5 欧姆,15V
开关能量
-
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.2V @ 15V,22A
25°C 时 Td(开/关)值
35ns/90ns
栅极电荷
45nC
关键词
产品资料
数据列表
RJP60D0DPP-M0
RoHS指令信息
RoHS Compliance
标准包装
1
其它名称
RJP60D0DPPM0T2
RJP60D0DPP-M0#T2相关搜索
封装/外壳 TO-220-3 整包
Renesas Electronics America 封装/外壳 TO-220-3 整包
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包
制造商 Renesas Electronics America
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America
安装类型 通孔
Renesas Electronics America 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 150°C(TJ)
Renesas Electronics America 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
系列 -
Renesas Electronics America 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Renesas Electronics America 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 在售
Renesas Electronics America 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-220FL
Renesas Electronics America 供应商器件封装 TO-220FL
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FL
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220FL
输入类型 标准
Renesas Electronics America 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Renesas Electronics America Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power - Max 35W
Renesas Electronics America Power - Max 35W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 35W
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 35W
Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Renesas Electronics America Current - Collector (Ic) (Max) 45A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 45A
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 45A
测试条件 300V,22A,5 欧姆,15V
Renesas Electronics America 测试条件 300V,22A,5 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,22A,5 欧姆,15V
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,22A,5 欧姆,15V
开关能量 -
Renesas Electronics America 开关能量 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -
IGBT 类型 -
Renesas Electronics America IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,22A
Renesas Electronics America 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,22A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,22A
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.2V @ 15V,22A
25°C 时 Td(开/关)值 35ns/90ns
Renesas Electronics America 25°C 时 Td(开/关)值 35ns/90ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 35ns/90ns
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 35ns/90ns
栅极电荷 45nC
Renesas Electronics America 栅极电荷 45nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 45nC
Renesas Electronics America 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 45nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号