RJP65T54DPM-A0#T2,Renesas Electronics America,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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RJP65T54DPM-A0#T2
RJP65T54DPM-A0#T2 -
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
制造商产品编号:
RJP65T54DPM-A0#T2
仓库库存编号:
RJP65T54DPM-A0#T2-ND
描述:
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
IGBT Trench Through Hole TO-3PFP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RJP65T54DPM-A0#T2产品属性
产品规格
封装/外壳
SC-94
制造商
Renesas Electronics America
安装类型
通孔
工作温度
175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-3PFP
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Power - Max
63.5W
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
测试条件
400V,30A,10 欧姆,15V
开关能量
330μJ(开),760μJ(关)
IGBT 类型
沟道
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.68V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值
35ns/120ns
栅极电荷
72nC
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RJP65T54DPM-A0
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制造商 Renesas Electronics America
Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Renesas Electronics America
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安装类型 通孔
Renesas Electronics America 安装类型 通孔
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工作温度 175°C(TJ)
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 175°C(TJ)
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包装 管件
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-3PFP
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输入类型 标准
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
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Current - Collector (Ic) (Max) 60A
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测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
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开关能量 330μJ(开),760μJ(关)
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栅极电荷 72nC
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