关于我们 | 联系我们

库存查询

• 如需报价、提交请求，请单击 此处。
• 非库存货

产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	29nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	35 毫欧 @ 3.5A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	7A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1300pF @ 10V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	60V
功率 - 最大值	2W
关键词

产品资料

数据列表	UPA1764
标准包装	2,500

封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  Renesas Electronics America 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Renesas Electronics America 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Renesas Electronics America 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOP  Renesas Electronics America 供应商器件封装 8-SOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V  Renesas Electronics America 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 29nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 3.5A，10V  Renesas Electronics America 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 3.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 3.5A，10V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 3.5A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Renesas Electronics America FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A  Renesas Electronics America 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V  Renesas Electronics America 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 10V   FET 功能 标准  Renesas Electronics America FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Renesas Electronics America 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   漏源电压（Vdss） 60V  Renesas Electronics America 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 2W  Renesas Electronics America 功率 - 最大值 2W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W