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产品规格

封装/外壳	6-XFLGA
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	6-EFLIP-LGA（2.17x1.47）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	20nC @ 4V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	2 N 沟道（双）共漏
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	-
功率 - 最大值	1.8W
关键词

产品资料

数据列表	μPA2379T1P
标准包装	1
其它名称	UPA2379T1P-E1-ACT

封装/外壳 6-XFLGA  Renesas Electronics America 封装/外壳 6-XFLGA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-XFLGA  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-XFLGA   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Renesas Electronics America 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Renesas Electronics America 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 6-EFLIP-LGA（2.17x1.47）  Renesas Electronics America 供应商器件封装 6-EFLIP-LGA（2.17x1.47）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-EFLIP-LGA（2.17x1.47）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-EFLIP-LGA（2.17x1.47）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 4V  Renesas Electronics America 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 4V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 4V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 4V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Renesas Electronics America 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  Renesas Electronics America FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）共漏  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 N 沟道（双）共漏   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Renesas Electronics America 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Renesas Electronics America 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动  Renesas Electronics America FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，2.5V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Renesas Electronics America 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   漏源电压（Vdss） -  Renesas Electronics America 漏源电压（Vdss） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） -   功率 - 最大值 1.8W  Renesas Electronics America 功率 - 最大值 1.8W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.8W  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 1.8W