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产品规格

封装/外壳	6-WFDFN 裸露焊盘
制造商	Renesas Electronics America
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	6-HUSON（2x2）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	5.1nC @ 4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	79 毫欧 @ 1.5A，4.5V
FET 类型	2 个 P 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	3A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	473pF @ 10V
FET 功能	逻辑电平栅极，1.8V 驱动
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	20V
功率 - 最大值	2.3W
关键词

产品资料

数据列表	uPA2670T1R-E2-AX
标准包装	3,000

封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘  Renesas Electronics America 封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-WFDFN 裸露焊盘   制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 制造商 Renesas Electronics America  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America   安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Renesas Electronics America 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Renesas Electronics America 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Renesas Electronics America 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 6-HUSON（2x2）  Renesas Electronics America 供应商器件封装 6-HUSON（2x2）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-HUSON（2x2）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 6-HUSON（2x2）   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.1nC @ 4.5V  Renesas Electronics America 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.1nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.1nC @ 4.5V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 5.1nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 79 毫欧 @ 1.5A，4.5V  Renesas Electronics America 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 79 毫欧 @ 1.5A，4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 79 毫欧 @ 1.5A，4.5V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 79 毫欧 @ 1.5A，4.5V   FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Renesas Electronics America FET 类型 2 个 P 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 P 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A  Renesas Electronics America 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 473pF @ 10V  Renesas Electronics America 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 473pF @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 473pF @ 10V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 473pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动  Renesas Electronics America FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平栅极，1.8V 驱动   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Renesas Electronics America 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   漏源电压（Vdss） 20V  Renesas Electronics America 漏源电压（Vdss） 20V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 20V   功率 - 最大值 2.3W  Renesas Electronics America 功率 - 最大值 2.3W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.3W  Renesas Electronics America 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2.3W