2SA1036KT146Q,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2SA1036KT146Q - 

TRANS PNP 32V 0.5A 3-SMT

Rohm Semiconductor 2SA1036KT146Q
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
2SA1036KT146Q
仓库库存编号：
2SA1036KT146QCT-ND
描述：
TRANS PNP 32V 0.5A 3-SMT
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

2SA1036KT146Q产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SMT3  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  120 @ 100mA，3V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  32V  
  Power - Max  200mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  1μA（ICBO）  
  Current - Collector (Ic) (Max)  500mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  600mV @ 30mA，300mA  
  频率 - 跃迁  200MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 2SA1036K
标准包装 1
其它名称 2SA1036KT146QCT

2SA1036KT146Q您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

  • Broadcom Limited - 5082-7656 - LED 7-SEG 10.9MM HE RED RHD
  • Broadcom Limited
    LED 7-SEG 10.9MM HE RED RHD
    详细描述：Character LED Display Module Red 7-Segment +/-1 (overflow) Character Universal 2.1V 20mA 0.750" H x 0.500" W x 0.250" D (19.05mm x 12.70mm x 6.35mm) 14-DIP (0.300", 7.62mm), 12 Leads

    型号：5082-7656
    仓库库存编号：516-1197-ND
    别名：50827656
    516-1197
    516-1197-5
    516-1197-5-ND
  • 无铅
  • 搜索

2SA1036KT146Q相关搜索

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Rohm Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 SMT3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SMT3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SMT3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SMT3   晶体管类型 PNP  Rohm Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 100mA，3V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 100mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 100mA，3V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 100mA，3V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V   Power - Max 200mW  Rohm Semiconductor Power - Max 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 200mW   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 30mA，300mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 30mA，300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 30mA，300mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 600mV @ 30mA，300mA   频率 - 跃迁 200MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 200MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 200MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号