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产品规格

封装/外壳	TO-220-3 整包
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TO-220FN
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	320 @ 2A，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Power - Max	25W
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	12A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 400mA，8A
频率 - 跃迁	80MHz
关键词

产品资料

标准包装	500

封装/外壳 TO-220-3 整包  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3 整包  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-220-3 整包   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 通孔  Rohm Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 散装   Rohm Semiconductor 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 散装    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TO-220FN  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 TO-220FN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220FN  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-220FN   晶体管类型 PNP  Rohm Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 320 @ 2A，2V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 320 @ 2A，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 320 @ 2A，2V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 320 @ 2A，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V   Power - Max 25W  Rohm Semiconductor Power - Max 25W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 25W  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 25W   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 12A  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 12A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 12A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 12A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 400mA，8A  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 400mA，8A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 400mA，8A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 500mV @ 400mA，8A   频率 - 跃迁 80MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 80MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 80MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 80MHz