2SB1188T100R,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2SB1188T100R - 

TRANS PNP 32V 2A SO-89

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Rohm Semiconductor 2SB1188T100R
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
2SB1188T100R
仓库库存编号:
2SB1188T100RCT-ND
描述:
TRANS PNP 32V 2A SO-89
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 2A 100MHz 2W Surface Mount MPT3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

2SB1188T100R产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-243AA  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  MPT3  
  晶体管类型  PNP  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  180 @ 500mA,3V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  32V  
  Power - Max  2W  
  电流 - 集电极截止(最大值)  1μA(ICBO)  
  Current - Collector (Ic) (Max)  2A  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  800mV @ 200mA,2A  
  频率 - 跃迁  100MHz  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 2SB1188T100RCT

2SB1188T100R相关搜索

封装/外壳 TO-243AA  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-243AA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-243AA   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带(CT)   Rohm Semiconductor 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 MPT3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 MPT3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 MPT3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 MPT3   晶体管类型 PNP  Rohm Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 180 @ 500mA,3V  Rohm Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 180 @ 500mA,3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 180 @ 500mA,3V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 180 @ 500mA,3V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 32V   Power - Max 2W  Rohm Semiconductor Power - Max 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 2W   电流 - 集电极截止(最大值) 1μA(ICBO)  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA(ICBO)  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA(ICBO)   Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 800mV @ 200mA,2A  Rohm Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 800mV @ 200mA,2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 800mV @ 200mA,2A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 800mV @ 200mA,2A   频率 - 跃迁 100MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号