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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	SMT3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	180 @ 5mA，5V
频率 - 跃迁	800MHz
功率 - 最大值	200mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	6V
增益	-
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	-
关键词

产品资料

数据列表	2SC4713K
标准包装	3,000

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Rohm Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 SMT3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SMT3  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SMT3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SMT3   晶体管类型 NPN  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 5mA，5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 5mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 5mA，5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 5mA，5V   频率 - 跃迁 800MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 800MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 800MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 800MHz   功率 - 最大值 200mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 200mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 50mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 6V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 6V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 6V   增益 -  Rohm Semiconductor 增益 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 -   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  Rohm Semiconductor 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -