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产品规格

封装/外壳	HRT
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	过期
供应商器件封装	HRT
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 500mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Power - Max	1.8W
电流 - 集电极截止（最大值）	10μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1V @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	8MHz
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	2SD2096T114ECT

封装/外壳 HRT  Rohm Semiconductor 封装/外壳 HRT  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 HRT  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 HRT   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 通孔  Rohm Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Rohm Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 HRT  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 HRT  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 HRT  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 HRT   晶体管类型 NPN  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V   Power - Max 1.8W  Rohm Semiconductor Power - Max 1.8W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.8W  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.8W   电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 10μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 3A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 8MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 8MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 8MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 8MHz