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产品规格

封装/外壳	SC-72 成形引线
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带盒（TB）
零件状态	过期
供应商器件封装	SPT
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	1200 @ 10mA，3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Power - Max	300mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	400mV @ 20mA，500mA
频率 - 跃迁	350MHz
关键词

产品资料

标准包装	2,000

封装/外壳 SC-72 成形引线  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SC-72 成形引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-72 成形引线  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 SC-72 成形引线   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 通孔  Rohm Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带盒（TB）   Rohm Semiconductor 包装 带盒（TB）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带盒（TB）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带盒（TB）    零件状态 过期  Rohm Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SPT  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SPT  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SPT  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SPT   晶体管类型 NPN  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1200 @ 10mA，3V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1200 @ 10mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1200 @ 10mA，3V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 1200 @ 10mA，3V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V   Power - Max 300mW  Rohm Semiconductor Power - Max 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 500mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 20mA，500mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 20mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 20mA，500mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 20mA，500mA   频率 - 跃迁 350MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 350MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 350MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 350MHz