BAW56T116,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,二极管 - 整流器 - 阵列
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BAW56T116 - 

DIODE ARRAY GP 70V 215MA SSD3

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Rohm Semiconductor BAW56T116
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BAW56T116
仓库库存编号:
BAW56T116CT-ND
描述:
DIODE ARRAY GP 70V 215MA SSD3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 215mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BAW56T116产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  SSD3  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  1μA @ 75V  
  反向恢复时间(trr)  4ns  
  不同 If 时的电压 - 正向(Vf)  1.25V @ 150mA  
  工作温度 - 结  150°C(最大)  
  二极管类型  标准  
  电压 - DC 反向(Vr)(最大值)  70V  
  速度  快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)  
  电流 - 平均整流(Io)(每二极管)  215mA  
  二极管配置  1 对共阳极  
关键词         

产品资料
数据列表 BAV70, BAW56, BAV99
标准包装 1
其它名称 BAW56T116CT

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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 安装类型 表面贴装   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  二极管 - 整流器 - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 系列 -   包装 剪切带(CT)   Rohm Semiconductor 包装 剪切带(CT)   二极管 - 整流器 - 阵列 包装 剪切带(CT)   Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 包装 剪切带(CT)    零件状态  已不再提供  Rohm Semiconductor 零件状态  已不再提供  二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态  已不再提供  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 SSD3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SSD3  二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 SSD3  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 供应商器件封装 SSD3   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 75V  Rohm Semiconductor 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 75V  二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 75V  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 1μA @ 75V   反向恢复时间(trr) 4ns  Rohm Semiconductor 反向恢复时间(trr) 4ns  二极管 - 整流器 - 阵列 反向恢复时间(trr) 4ns  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 反向恢复时间(trr) 4ns   不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.25V @ 150mA  Rohm Semiconductor 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.25V @ 150mA  二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.25V @ 150mA  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.25V @ 150mA   工作温度 - 结 150°C(最大)  Rohm Semiconductor 工作温度 - 结 150°C(最大)  二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 150°C(最大)  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 工作温度 - 结 150°C(最大)   二极管类型 标准  Rohm Semiconductor 二极管类型 标准  二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 标准  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管类型 标准   电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 70V  Rohm Semiconductor 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 70V  二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 70V  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 70V   速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)  Rohm Semiconductor 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)  二极管 - 整流器 - 阵列 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 速度 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)   电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 215mA  Rohm Semiconductor 电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 215mA  二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 215mA  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 电流 - 平均整流(Io)(每二极管) 215mA   二极管配置 1 对共阳极  Rohm Semiconductor 二极管配置 1 对共阳极  二极管 - 整流器 - 阵列 二极管配置 1 对共阳极  Rohm Semiconductor 二极管 - 整流器 - 阵列 二极管配置 1 对共阳极  
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