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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	SST3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	250 @ 2mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Power - Max	350mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	550mV @ 1.25mA，50mA
频率 - 跃迁	125MHz
关键词

产品资料

数据列表	BCX70J/K
标准包装	3,000

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 SST3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SST3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SST3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SST3   晶体管类型 NPN  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 2mA，5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 2mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 2mA，5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 250 @ 2mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V   Power - Max 350mW  Rohm Semiconductor Power - Max 350mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 350mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 350mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA   Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 550mV @ 1.25mA，50mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 550mV @ 1.25mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 550mV @ 1.25mA，50mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 550mV @ 1.25mA，50mA   频率 - 跃迁 125MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 125MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 125MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 125MHz