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BS2103F-E2
BS2103F-E2 -
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
BS2103F-E2
仓库库存编号:
BS2103F-E2CT-ND
描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOP
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BS2103F-E2产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
电压 - 电源
10 V ~ 18 V
供应商器件封装
8-SOP
输入类型
非反相
上升/下降时间(典型值)
200ns,100ns
通道类型
独立式
栅极类型
IGBT,N 沟道 MOSFET
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
60mA,130mA
逻辑电压?- VIL,VIH
1V,2.6V
驱动配置
半桥
驱动器数
2
高压侧电压 - 最大值(自举)
600V
关键词
产品资料
数据列表
BS2103F
标准包装
1
其它名称
BS2103F-E2CT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Diodes Incorporated
IC GATE DRVR HV SO8
详细描述:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
型号:
DGD2304S8-13
仓库库存编号:
DGD2304S8-13DICT-ND
别名:DGD2304S8-13DICT
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工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
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供应商器件封装 8-SOP
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输入类型 非反相
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栅极类型 IGBT,N 沟道 MOSFET
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