BSM180D12P2C101,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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BSM180D12P2C101 - 

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSM180D12P2C101
仓库库存编号：
BSM180D12P2C101-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 180A 1130W Module
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSM180D12P2C101产品属性


产品规格
  封装/外壳  模块  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模块  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  -  
  FET 类型  2 个 N 通道（半桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  180A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  23000pF @ 10V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 35.2mA  
  漏源电压（Vdss）  1200V（1.2kV）  
  功率 - 最大值  1130W  
关键词         

产品资料
标准包装 12

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