DTA114EUAT106,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
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DTA114EUAT106 - 

TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

Rohm Semiconductor DTA114EUAT106
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DTA114EUAT106
仓库库存编号：
DTA114EUAT106CT-ND
描述：
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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DTA114EUAT106产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-70，SOT-323  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  UMT3  
  晶体管类型  PNP - 预偏压  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  30 @ 5mA，5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  200mW  
  电流 - 集电极截止（最大值）  500nA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  50mA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 500μA，10mA  
  频率 - 跃迁  250MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  10k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  10k  
关键词         

产品资料
数据列表 DTA114E Series
标准包装 1
其它名称 DTA114EUAT106CT

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