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产品规格

封装/外壳	SC-85
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	UMT3F
晶体管类型	NPN - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	820 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	20V
Power - Max	200mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	400mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	100mV @ 3mA，30mA
频率 - 跃迁	35MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	-
关键词

产品资料

数据列表	DTC943TUB
标准包装	1
其它名称	DTC943TUBTLCT

封装/外壳 SC-85  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SC-85  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SC-85  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SC-85   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Rohm Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 在售  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 UMT3F  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 UMT3F  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 UMT3F  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 UMT3F   晶体管类型 NPN - 预偏压  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 820 @ 10mA，5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 820 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 820 @ 10mA，5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 820 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V   Power - Max 200mW  Rohm Semiconductor Power - Max 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 200mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 200mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 400mA  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 400mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 400mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 400mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 3mA，30mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 3mA，30mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 3mA，30mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 100mV @ 3mA，30mA   频率 - 跃迁 35MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 35MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 35MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 35MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Rohm Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -