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产品规格

封装/外壳	SOT-723
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	VMT3
晶体管类型	NPN - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	140 @ 100mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Power - Max	150mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 2.5mA，50mA
频率 - 跃迁	260MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	10k
关键词

产品资料

标准包装	1
其它名称	DTD723YMT2LCT

封装/外壳 SOT-723  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SOT-723  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SOT-723  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SOT-723   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 VMT3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 VMT3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 VMT3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 VMT3   晶体管类型 NPN - 预偏压  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 140 @ 100mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V   Power - Max 150mW  Rohm Semiconductor Power - Max 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 150mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 150mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 200mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 2.5mA，50mA   频率 - 跃迁 260MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 260MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 260MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 260MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k