EM6K1T2R,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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EM6K1T2R
EM6K1T2R -
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
制造商产品编号:
EM6K1T2R
仓库库存编号:
EM6K1T2RCT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount EMT6
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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EM6K1T2R产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
制造商
Rohm Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
EMT6
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8 欧姆 @ 10mA,4V
FET 类型
2 个 N 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13pF @ 5V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 100μA
漏源电压(Vdss)
30V
功率 - 最大值
150mW
关键词
产品资料
数据列表
EM6K1
标准包装
1
其它名称
EM6K1T2RCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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BAS40W-04FDICT-ND
别名:BAS40W-04-FDICT
BAS40W-04-FDICT-ND
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别名:568-9815-1
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