EMF5T2R,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

EMF5T2R - 

TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6

Rohm Semiconductor EMF5T2R
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
EMF5T2R
仓库库存编号：
EMF5T2RCT-ND
描述：
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount EMT6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

EMF5T2R产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  EMT6  
  晶体管类型  1 NPN 预偏压式，1 PNP  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  500nA  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  300mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA  
  频率 - 跃迁  250MHz，260MHz  
  电阻器 - 基底（R1）（欧姆）  47k  
  电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）  47k  
  功率 - 最大值  150mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  100mA，500mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V，12V  
关键词         

产品资料
数据列表 EMF5
标准包装 1
其它名称 EMF5T2RCT

EMF5T2R相关搜索

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Rohm Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 EMT6  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 EMT6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 EMT6  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 EMT6   晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP  Rohm Semiconductor 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 NPN 预偏压式，1 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA   频率 - 跃迁 250MHz，260MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 250MHz，260MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz，260MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 250MHz，260MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k   功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 150mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，12V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，12V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V，12V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号