关于我们 | 联系我们

库存查询

• 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。

产品规格

封装/外壳	6-SMD（5引线），扁引线
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	EMT5
晶体管类型	PNP - 预偏压 + 二极管
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	68 @ 5mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	120mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
Current - Collector (Ic) (Max)	30mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 500μA，10mA
频率 - 跃迁	250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	47k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47k
关键词

产品资料

数据列表	EML17
标准包装	8,000

封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线  Rohm Semiconductor 封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 EMT5  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 EMT5  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 EMT5  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 EMT5   晶体管类型 PNP - 预偏压 + 二极管  Rohm Semiconductor 晶体管类型 PNP - 预偏压 + 二极管  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压 + 二极管  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压 + 二极管   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 68 @ 5mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 120mW  Rohm Semiconductor Power - Max 120mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 120mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 120mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA   Current - Collector (Ic) (Max) 30mA  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 30mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 30mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 30mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA   频率 - 跃迁 250MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 47k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 47k