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产品规格

封装/外壳	SOT-563，SOT-666
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	在售
供应商器件封装	EMT6
晶体管类型	2 PNP（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	270 @ 10mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 10mA，200mA
频率 - 跃迁	260MHz
功率 - 最大值	150mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	12V
关键词

产品资料

数据列表	EMT18, UMT18N, IMT18
标准包装	8,000

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 在售  Rohm Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 EMT6  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 EMT6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 EMT6  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 EMT6   晶体管类型 2 PNP（双）  Rohm Semiconductor 晶体管类型 2 PNP（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 PNP（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 10mA，2V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 10mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 10mA，2V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 270 @ 10mA，2V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，200mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，200mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，200mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 10mA，200mA   频率 - 跃迁 260MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 260MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 260MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 260MHz   功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 150mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 12V