EMX3T2R,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

EMX3T2R - 

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT

  • 不提供增值包装；备有另选包装。
  • 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Rohm Semiconductor EMX3T2R
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
EMX3T2R
仓库库存编号：
EMX3T2RCT-ND
描述：
TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

EMX3T2R产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  EMT6  
  晶体管类型  2 NPN（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  120 @ 1mA，6V  
  电流 - 集电极截止（最大值）  100nA（ICBO）  
  不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）  400mV @ 5mA，50mA  
  频率 - 跃迁  180MHz  
  功率 - 最大值  150mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  150mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 EMX3, UMX3N, IMX3
标准包装 1
其它名称 EMX3T2RCT

EMX3T2R相关搜索

封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 SOT-563，SOT-666   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Rohm Semiconductor 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 EMT6  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 EMT6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 EMT6  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 EMT6   晶体管类型 2 NPN（双）  Rohm Semiconductor 晶体管类型 2 NPN（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 2 NPN（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 180MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 180MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 180MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 180MHz   功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 150mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号