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产品规格

封装/外壳	6-SMD（5引线），扁引线
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	已不再提供
供应商器件封装	EMT5
晶体管类型	NPN，PNP（耦合发射器）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 1mA，6V
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA
频率 - 跃迁	180MHz，140MHz
功率 - 最大值	150mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	EMY1, UMY1N, FMY1A
标准包装	1
其它名称	EMY1T2RCT

封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线  Rohm Semiconductor 封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-SMD（5引线），扁引线   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态  已不再提供  Rohm Semiconductor 零件状态  已不再提供  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 EMT5  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 EMT5  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 EMT5  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 EMT5   晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP（耦合发射器）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 1mA，6V   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA   频率 - 跃迁 180MHz，140MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 180MHz，140MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 180MHz，140MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 180MHz，140MHz   功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 150mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 150mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V