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ES6U1T2R - 

MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6

Rohm Semiconductor ES6U1T2R
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
ES6U1T2R
仓库库存编号：
ES6U1T2RCT-ND
描述：
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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ES6U1T2R产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-WEMT  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±10V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  2.4nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  260 毫欧 @ 1.3A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  1.5V，4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  1.3A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  290pF @ 6V  
  FET 功能  肖特基二极管（隔离式）  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 1mA  
  功率耗散（最大值）  700mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  12V  
关键词         

产品资料
数据列表 ES6U1
标准包装 1
其它名称 ES6U1T2RCT

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