HP8S36TB,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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HP8S36TB - 

30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET,

Rohm Semiconductor HP8S36TB
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
HP8S36TB
仓库库存编号：
HP8S36TBCT-ND
描述：
30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET,
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

HP8S36TB产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-HSOP  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  47nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2.4 毫欧 @ 32A，10V  
  FET 类型  2 个 N 通道（半桥）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  27A，80A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  6100pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 1mA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  29W  
关键词         

产品资料
数据列表 HP8S36
标准包装 1
其它名称 HP8S36TBCT

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