HS8K11TB,Rohm Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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HS8K11TB - 

MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

Rohm Semiconductor HS8K11TB
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
HS8K11TB
仓库库存编号：
HS8K11TBCT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A, 11A 2W Surface Mount HSML3030L10
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HS8K11TB产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-UDFN 裸露焊盘  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  HSML3030L10  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  11.1nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  17.9 毫欧 @ 7A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  7A，11A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  500pF @ 15V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 1mA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  2W  
关键词         

产品资料
数据列表 HS8K11
标准包装 1
其它名称 HS8K11TBCT

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