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产品规格

封装/外壳	SC-74，SOT-457
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	SMT6
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	56 @ 50mA，5V，30 @ 5mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 50mA，2.5mA，300mV @ 10mA，500μA
频率 - 跃迁	200MHz，250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	1k，10k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	10k，10k
功率 - 最大值	300mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA，500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 SC-74，SOT-457  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SC-74，SOT-457  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SC-74，SOT-457  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SC-74，SOT-457   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 SMT6  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SMT6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SMT6  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SMT6   晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  Rohm Semiconductor 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 50mA，5V，30 @ 5mA，5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 50mA，5V，30 @ 5mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 50mA，5V，30 @ 5mA，5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 56 @ 50mA，5V，30 @ 5mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） -  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） -   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 50mA，2.5mA，300mV @ 10mA，500μA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 50mA，2.5mA，300mV @ 10mA，500μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 50mA，2.5mA，300mV @ 10mA，500μA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 50mA，2.5mA，300mV @ 10mA，500μA   频率 - 跃迁 200MHz，250MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 200MHz，250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 200MHz，250MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 200MHz，250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 1k，10k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 1k，10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 1k，10k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 1k，10k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k，10k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k，10k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k，10k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） 10k，10k   功率 - 最大值 300mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA，500mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V