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产品规格

封装/外壳	SC-74，SOT-457
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	SMT6
晶体管类型	2 NPN 预偏压（双）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	820 @ 50mA，5V
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	150mV @ 50mA，2.5mA
频率 - 跃迁	150MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	-
功率 - 最大值	300mW
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	20V
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 SC-74，SOT-457  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SC-74，SOT-457  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SC-74，SOT-457  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 封装/外壳 SC-74，SOT-457   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 包装 带卷（TR）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 SMT6  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SMT6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SMT6  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 供应商器件封装 SMT6   晶体管类型 2 NPN 预偏压（双）  Rohm Semiconductor 晶体管类型 2 NPN 预偏压（双）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 NPN 预偏压（双）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 晶体管类型 2 NPN 预偏压（双）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 820 @ 50mA，5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 820 @ 50mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 820 @ 50mA，5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 820 @ 50mA，5V   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 50mA，2.5mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 50mA，2.5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 50mA，2.5mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 150mV @ 50mA，2.5mA   频率 - 跃迁 150MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 150MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 150MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 频率 - 跃迁 150MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 2.2k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Rohm Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -   功率 - 最大值 300mW  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 功率 - 最大值 300mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 电压 - 集射极击穿（最大值） 20V