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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	SMT3
晶体管类型	NPN - 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	5000 @ 10mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Power - Max	350mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	300mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.5V @ 100μA，100mA
频率 - 跃迁	125MHz
关键词

产品资料

数据列表	MMSTA13
标准包装	1
其它名称	MMSTA13T146CT

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 SMT3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SMT3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SMT3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SMT3   晶体管类型 NPN - 达林顿  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 5000 @ 10mA，5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 5000 @ 10mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 5000 @ 10mA，5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 5000 @ 10mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V   Power - Max 350mW  Rohm Semiconductor Power - Max 350mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 350mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 350mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 300mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 100μA，100mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 100μA，100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 100μA，100mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.5V @ 100μA，100mA   频率 - 跃迁 125MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 125MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 125MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 125MHz