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MMSTA13T146 - 

TRANS NPN 30V 0.3A SOT-346 SMT3

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Rohm Semiconductor MMSTA13T146
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MMSTA13T146
仓库库存编号:
MMSTA13T146CT-ND
描述:
TRANS NPN 30V 0.3A SOT-346 SMT3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 300mA 125MHz 350mW Surface Mount SMT3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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MMSTA13T146产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  
  制造商  Rohm Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  SMT3  
  晶体管类型  NPN - 达林顿  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  5000 @ 10mA,5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  30V  
  Power - Max  350mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  Current - Collector (Ic) (Max)  300mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  1.5V @ 100μA,100mA  
  频率 - 跃迁  125MHz  
关键词         

产品资料
数据列表 MMSTA13
标准包装 1
其它名称 MMSTA13T146CT

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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Rohm Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带(CT)   Rohm Semiconductor 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 SMT3  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SMT3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SMT3  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SMT3   晶体管类型 NPN - 达林顿  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN - 达林顿  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN - 达林顿   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 5000 @ 10mA,5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 5000 @ 10mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 5000 @ 10mA,5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 5000 @ 10mA,5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V   Power - Max 350mW  Rohm Semiconductor Power - Max 350mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 350mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 350mW   电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)   Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 300mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 300mA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 100μA,100mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 100μA,100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 100μA,100mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 100μA,100mA   频率 - 跃迁 125MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 125MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 125MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 125MHz  
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