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产品规格

封装/外壳	6-SMD，扁平引线
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	MPT6
晶体管类型	NPN，PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	180 @ 50mA，3V
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A
频率 - 跃迁	320MHz，300MHz
功率 - 最大值	2W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	3A
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

标准包装	1,000
其它名称	Q6052732

封装/外壳 6-SMD，扁平引线  Rohm Semiconductor 封装/外壳 6-SMD，扁平引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-SMD，扁平引线  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 6-SMD，扁平引线   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Rohm Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 MPT6  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 MPT6  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 MPT6  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 MPT6   晶体管类型 NPN，PNP  Rohm Semiconductor 晶体管类型 NPN，PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 NPN，PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 50mA，3V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 50mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 50mA，3V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 180 @ 50mA，3V   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 50mA，1A / 400mV @ 50mA，1A   频率 - 跃迁 320MHz，300MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 320MHz，300MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 320MHz，300MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 320MHz，300MHz   功率 - 最大值 2W  Rohm Semiconductor 功率 - 最大值 2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 2W  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 2W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3A  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3A  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3A  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 3A   电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Rohm Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V